Transistorearen printzipio eragilea

Transistor - gailu bat elektronika ere erdieroaleak exekutatzen. Da bihurtzeko eta anplifikazio seinale elektrikoen diseinatuta. : Bi gailu mota daude bipolarra transistore bat eta unipolar transistore edo eremu batean.

transistorea bi karga eramaile mota daude badabil aldi berean - zulo eta elektroiak, bipolarra deitzen da. Transistorearen karga-mota bat baino ez da, bada, unipolar da.

Imajinatu iturriko arruntak ur lana. Aktibatuta Bolt - murrizteko edo fluxua gelditzeko - ur emaria handitu, beste modu aktibatuta zuen. Ia honetan transistorearen funtzionamendua printzipioa da. Elektroiak Bakarrik ordez ur korrontea therethrough nagusiak. the bipolarra transistore mota funtzionamendua printzipioa da, izan ere, gailu elektroniko honen bitartez, bi botere mota daude diren ezaugarri. handia, edo oinarrizko eta txikiak, edo kudeatzailea banatuta daude. Zertan kontrol uneko botere nagusia gaitasuna eragiten du. Demagun eremu efektuko transistorea bat. bere funtzionamendua printzipioa besteek desberdinak. bakar bat pasatzen da , uneko irteera bertan giro araberakoa eremu elektromagnetikoak.

bipolarra transistorea 3 erdieroale geruza, baita, garrantzitsuena, bi PN-Korapiloak egina. Beharrezkoa da PNP eta NPN trantsizio eta, hortaz, eta transistoreak artean bereiztea. erdieroaleak hauek elektroi eta zulo eroankortasuna txandakatuz dira.

bipolarra transistorea hiru terminal ditu. base kontaktu hau, ertzetan zentro geruza, eta bi elektrodo utziz - igorle eta biltzen. bi muturreko elektrodoak oinarri geruza horiekin alderatuta oso mehea da. transistorea semiconductor eskualdean ertzetan zehar ez da simetrikoa. semiconductor geruza bat biltzen aldean bota gailu honen funtzionamendua zuzena utzi behar da pixka bat, baina da aldean igorle albo batera jo lodiagoa.

transistorea eragiketa printzipio prozesu fisiko oinarritzen dira. Dezagun lan eredua PNP batera. NPN ereduaren antzeko oinarrizko elementuak, hala nola biltzen eta igorle gisa arteko tentsioa polaritatea ezik funtzionatuko du. egingo kontrako norabidean izan zen.

Substantzia P motako zulo bat edo positiboki kargatutako ioiak osatzen dute. N-mota Substantzia elektroi negatiboki kargatutako osatzen dute. Gure transistorea F eskualdean zulo kopurua da N. elektroi kopurua baino askoz handiagoa

Noiz zatiak esaterako igorle eta transistorea eragiketa printzipioak biltzen artean konektatu tentsio iturri bat dira, izan ere, zuloak daude pole erakarri eta igorle gertu bildu oinarritzen da. Baina oraingoa ez dela joan. Tentsio iturri batetik eremu elektrikoa ez du biltzen iritsiko lodi semiconductor igorle geruza eta oinarri erdieroale geruza duelako.
Ondoren, konektatu tentsio iturri bat elementu ezberdinak, hots oinarria eta igorle konbinazio batekin. Orain zulo datu-basera bidaltzen dira, eta hasteko elektroiak elkarreragin. oinarriaren zati nagusia zulo gainezka. Emaitza bi korronte bat da. Big - igorle izateko oinarri - biltzen, txikiei igorle batetik.

Tentsio handitzea datu-basean geruza N zulo are gehiago izango dira, oinarri egungo areagotzeko izanda, igorle egungo zertxobait handitu egingo da. Horrek esan nahi du oinarri egungo aldaketa txiki bat serio nahikoa haundituko dela igorle egungo. Emaitza hazkunde bipolarra transistore batean seinale bat da.

Demagun Transistorearen funtzionamendu moduaren arabera printzipioak. normal modu aktiboa, alderantzizko modu aktiboa, saturazioa, mozte modua bereiztea.
Modu aktiboan, igorle bidegurutzera ireki da eta biltzen bidegurutzean itxita. inbertsioa moduan, dena alderantziz gertatzen da.